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Brand : CRC Press, Binding : Gebundene Ausgabe, Edition : 1, Label : Taylor & Francis Ltd, Publisher : Taylor & Francis Ltd, medium : Gebundene Ausgabe, numberOfPages : 368, publicationDate : 1997-05-01, authors : R Auberg, M.J. Setzer, ISBN : 0419229000

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Fletcher, Heather R. J. Making Marbled Paper: Paint Techniques & Patterns For Classic & Modern Marbleizing On Paper & Silk

12.02 EUR

Brand : Fox Chapel Publishing, Binding : Taschenbuch, Edition : Illustrated, Label : Fox Chapel Publishing, Publisher : Fox Chapel Publishing, Format : Illustriert, medium : Taschenbuch, numberOfPages : 159, publicationDate : 2019-10-15, authors : Fletcher, Heather R. J., ISBN : 1497100437

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TRU COMPONENTS TC-7494928 TC-GQ16-KH-11D/J/R/12V/C Interrupteur antivandalisme 48 V/DC 2 A 1 x Off/(On) à rappel rouge IP65 1 pc(s)

8.49 EUR

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Phoenix Contact - Embase NBC-PP-J1PGY-S/R4IDC8 1100077 Bride d'appareil RJ45 Nombre de pôles: 8P8C 1 pc(s)

28.99 EUR

Informations techniques Taux de transmission 10 Gbit/s Informations techniques Connexion (composants) : autodénudant (IDC) Coté A (Capteur / actionneur) : RJ45 Coté de raccordement B (capteur / actionneur) : à confectionner Couleur : gris Courant nominal : 1 A Données techniques complémentaires : Taux de transmission 10 Gbit/s Forme du connecteur : Bride d'appareil RJ45 Indice de protection : IP20 Nombre de pôles : 8P8C Norme de connecteur : RJ45 Température (max.) : +60 °C Température (min.) : -10 °C Tension nominale : 50 V Patchpanel RJ45 - CAT6 Adaptateur de montage sur profilé, type: RJ45, indice de protection: IP20, nombre de pôles: 8, 10 Gbit/s, CAT6A, matériau: PC-GF, type de raccordement: Raccordement IDC, section raccordable: AWG 26- 22, coloris: gris Points forts Phoenix Contact NBC-PP-J1PGY-S/R4IDC8 1100077 Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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Tru Components - TC-7494672 TC-GQ12-CH-10ZE/J/R/12V/S Bouton-poussoir 36 v/dc 1 a 1 x Off/On à accrochage rouge IP40 1 pc

9.99 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : à souder Couleur boîtier/bouton : acier inoxydable Couleur d'éclairage (ampoule LED) : rouge Courant de commutation (max.) : 1 A Diamètre de montage : 12 mm Epaisseur de plaque (maxi) : 10 mm Fonctions (interrupteur/bouton) : à accrochage Force d'actionnement : 4 N Indice de protection : IP40 Matériau : acier inoxydable Matériau du contact : alliage d'argent Position de commutation : 1 x Off/On Profondeur d'encastrement : 27.5 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton : pour bouton-poussoir Température (max.) : +55 °C Température (min.) : -25 °C Tension de commutation : 36 V/DC Type d'ampoule : LED Type d'éclairage : éclairage en cercle Type de contact (LOV) : 1 NO (T) Contenu de la livraison null Configuration requise null Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée. Illustration similar.

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Tru Components - TC-7494708 TC-GQ16-KF-11Z/J/C Interrupteur antivandalisme 48 v/dc 2 a 1 x Off/On à accrochage IP65 1 pc(

9.99 EUR

Informations techniques Connexion (composants): à souder Contenu: 1 pc(s) Couleur boîtier/bouton: chrome Courant de commutation (max.): 2 A Diamètre de montage: 16 mm Fonctions (interrupteur/bouton): à accrochage Indice de protection: IP65 Matériau: laiton (nickelé) Matériau du contact: alliage d'argent Profondeur d'encastrement: 32 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton: protégé contre les manipulations intempestives, pour bouton-poussoir Température (max.): +55 °C Tension de commutation: 48 V/DC Type de produit: Interrupteur antivandalisme Contenu de la livraison null Configuration requise null Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée. Illustration similar.

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Tru Components - TC-7494704 TC-GQ16-KF-11/J/C Interrupteur antivandalisme 48 v/dc 2 a 1 x Off/(On) à rappel IP65 1 pc(s)

7.99 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : à souder Couleur boîtier/bouton : chrome Courant de commutation (max.) : 2 A Diamètre de montage : 16 mm Epaisseur de plaque (maxi) : 8 mm Fonctions (interrupteur/bouton) : à rappel Force d'actionnement : 2 N Indice de protection : IP65 Matériau : laiton (nickelé) Matériau du contact : alliage d'argent Position de commutation : 1 x Off/(On) Profondeur d'encastrement : 32 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton : protégé contre les manipulations intempestives, pour bouton-poussoir Température (max.) : +55 °C Température (min.) : -25 °C Tension de commutation : 48 V/DC Type d'éclairage : sans Type de contact (LOV) : 1 NF (R), 1 NO (T) Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée. Illustration similar.

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Tru Components - TC-7494908 TC-GQ16-KH-11Z/J/C Interrupteur antivandalisme 48 v/dc 2 a 1 x Off/On à accrochage IP65 1 pc(

6.49 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : à souder Couleur boîtier/bouton : chrome Courant de commutation (max.) : 2 A Diamètre de montage : 16 mm Epaisseur de plaque (maxi) : 8 mm Fonctions (interrupteur/bouton) : à accrochage Force d'actionnement : 2 N Indice de protection : IP65 Matériau : laiton (nickelé) Matériau du contact : alliage d'argent Position de commutation : 1 x Off/On Profondeur d'encastrement : 32 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton : protégé contre les manipulations intempestives, pour bouton-poussoir Température (max.) : +55 °C Température (min.) : -25 °C Tension de commutation : 48 V/DC Type d'éclairage : symbole Power Type de contact (LOV) : 1 NF (R), 1 NO (T) Contenu de la livraison null Configuration requise null Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée. Illustration similar.

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Estelle Herr Handlungs- Und Regelutilitarismus Im Vergleich Anhand Von J.J. C. Smart Und R. B. Brandt

1.99 EUR

Brand : Books on Demand, Binding : Taschenbuch, Edition : 1., Label : GRIN Verlag, Publisher : GRIN Verlag, medium : Taschenbuch, numberOfPages : 16, publicationDate : 2016-02-26, authors : Estelle Herr, ISBN : 3668016674

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Tru Components - TC-7494936 TC-GQ16-KH-11D/J/B/12V/C Interrupteur antivandalisme 48 v/dc 2 a 1 x Off/(On) à rappel bleu i

5.99 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : à souder Couleur boîtier/bouton : chrome Couleur d'éclairage (ampoule LED) : bleu Courant de commutation (max.) : 2 A Diamètre de montage : 16 mm Epaisseur de plaque (maxi) : 8 mm Fonctions (interrupteur/bouton) : à rappel Force d'actionnement : 2 N Indice de protection : IP65 Matériau : laiton (nickelé) Matériau du contact : alliage d'argent Position de commutation : 1 x Off/(On) Profondeur d'encastrement : 32 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton : protégé contre les manipulations intempestives, pour bouton-poussoir Température (max.) : +55 °C Température (min.) : -25 °C Tension de commutation : 48 V/DC Type d'ampoule : LED Type d'éclairage : éclairage ponctuel Type de contact (LOV) : 1 NF (R), 1 NO (T) Contenu de la livraison null Configuration requise null Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée.

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Tru Components - TC-7494932 TC-GQ16-KH-11D/J/G/12V/C Interrupteur antivandalisme 48 v/dc 2 a 1 x Off/(On) à rappel vert i

5.99 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : à souder Couleur boîtier/bouton : chrome Couleur d'éclairage (ampoule LED) : vert Courant de commutation (max.) : 2 A Diamètre de montage : 16 mm Epaisseur de plaque (maxi) : 8 mm Fonctions (interrupteur/bouton) : à rappel Force d'actionnement : 2 N Indice de protection : IP65 Matériau : laiton (nickelé) Matériau du contact : alliage d'argent Position de commutation : 1 x Off/(On) Profondeur d'encastrement : 32 mm Spécificités de l'interrupteur/bouton : protégé contre les manipulations intempestives, pour bouton-poussoir Température (max.) : +55 °C Température (min.) : -25 °C Tension de commutation : 48 V/DC Type d'ampoule : LED Type d'éclairage : éclairage ponctuel Type de contact (LOV) : 1 NF (R), 1 NO (T) Contenu de la livraison null Configuration requise null Informations supplémentaires Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée.

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Kemet - Condensateur céramique cms 0805 C0805C104J5RAC 0.1 µF 50 v 5 % X7R 1 pc(s) W36756

40 EUR

enquête Kemet C0805C104J5RAC Contenu: 1 pc(s) description Condensateur céramique CMS. N/A. Tension nominale (détails): 50 V. Tolérance (détails): ± 5 %. X7R. Taille: 0805. fabricant et numéro du fabricant KemetC0805C104J5RAC données techniques Capacité électrique: 0.1 µF Contenu: 1 pc(s) Tension nominale: 50 V Tolérance +/-: 5 % informations supplémentaires Condensateur céramique X7R CMS 0805 0.1 µF 50 V 5 % Kemet C0805C104J5RAC Conditionnement: 1 pc(s) Condensateur céramique CMS. Capacité (électrique): 0.1 µF. Tension nominale: 50 V. Tolérance: ± 5 %. X7R. Taille: 0805. Données techniques : Capacité électrique : 0.1 µF · Conditionnement : 1 pc(s) · Forme de construction (résistance/condensateur) : 0805 · Matériaux : Céramique · Propriétés du matériau : X7R · Tension nominale : 50 V · Tolérance (+/-) : 5 % · Type (type fabricant) : C0805C104J5RAC7800+ · Type de condensateur (catégorisation) : Condensateur céramique · Type de construction (résistance/ condensateur) : CMS À propos de

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Tru Components - Interrupteur à bascule TC-R13-270C-02 1588070 250 v/ac 6 a 1 x On/On à accrochage 1 pc(s) S667471

7.45 EUR

enquête TRU COMPONENTS TC-R13-270C-02 1588070 Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant TRU COMPONENTS1588070 notes spéciales Dans la description du fonctionnement des interrupteurs, les valeurs entre parenthèses indiquent qu'il s'agit d'une fonction momentanée. données techniques Contenu: 1 pc(s) Courant de commutation (max.): 6 A Diamètre: 18 mm Tension de commutation: 250 V/AC Ø de montage: 15.2 mm informations supplémentaires Interrupteur à bascule 250 V/AC 6 A 1 x On/On permanent TRU COMPONENTS TC-R13-270C-02 1588070 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : Conditionnement : 1 pc(s) · Connexion : cosses plates 4.8 mm · Couleur boîtier/bouton : noir · Courant de commutation (max.) : 6 A · Diamètre de montage : 15.2 mm · Dimensions produit, Ø : 18 mm · Fonctions (interrupteur/bouton) : permanent · Matériaux : Polyamide · Motif d'impression : I/II · Position de commutation : 1 x On/On · Tension de commutation : 250 V/AC · Type (type fabricant) : TC-R13-270C-02 · Type

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Enda ET2011-T-230 PID Régulateur de température J, K, T, S, R 0 à +1700 °C Relais 8 A, SSR (L x l x H) 71 x 77 x 35 mm

93.99 EUR

Attention : Cet article est réservé aux Professionnels. Seules les commandes effectuées sur cet article en tant que Professionnel pourront être honorées. Régulateur PID ON-OFF compact...

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Bray, John J. Lecture Notes On Human Physiology

1.99 EUR

Binding : Taschenbuch, Label : Blackwell Science Ltd, Publisher : Blackwell Science Ltd, NumberOfItems : 1, medium : Taschenbuch, numberOfPages : 624, publicationDate : 1986-04-02, publishers : Bray, John J., Cragg, Patricia A., Macknight, A. D. C., Mills, R. G., Taylor, D. W., ISBN : 0632007737

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Good Smile Company (GOOD SMILE COMPANY) Nendoroid Doll Attack on Titan Outfit Set Levi

152.96 EUR

(C) Isayama Chang/Kodansha/ [Attack on Titan] The Final Season Production Commission (R) KODANSHA Material: Cloth/magnet/plastic prototype production: SELECT D, Ito Reiich Production cooperation: Kawada Workshop, Nendron, Clothes/Pattern Production: Mieko AKIMOTO Please be sure to check the product details and purchase instructions below before making a purchase! To request a return or exchange, please note that it is mandatory to provide a video of the unpacking of the package.

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On Semiconductor - J113 Trans jfet n-ch 2mA 3-Pin TO-92 Transistor jfet Canal n TO-92 A569332

31 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorJ113 données techniques Contenu: 1 pc(s) Température de fonctionnement (max.): 150 °C Température de fonctionnement (min.): -65 °C informations supplémentaires Transistor JFET Données techniques : Abréviation du fabricant (composants) : OnS · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -65 °C · Type (transistors) : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-92 À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes en toute fiabilité.Notre assortiment: électronique, technologie, outils et loisirs.

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Enda - ET2011-T-230 pid Régulateur de température j, k, t, s, r 0 à +1700 °c Relais 8 a, ssr (l x l x h) 71 x 77 x 35 mm V627761

70.61 EUR

description Attention : Cet article est réservé aux Professionnels. Seules les commandes effectuées sur cet article en tant que Professionnel pourront être honorées. Régulateur PID ON-OFF compact avec auto-optimisation, sortie de régulation utilisable comme relais ou sortie SSR. Deux variantes : entrée pour PT100 ou thermocouple. Fonction de démarrage progressif (délai imparti pour la valeur théorique) et code de sécurité contre les modifications non-intentionnelles des valeurs. Utilisation simple et intuitive grâce à la navigation horizontale et verticale dans le menu. fabricant et numéro du fabricant EndaET2011-T-230 notes spéciales Mode d’emploi pas disponible en Français. Cet article est réservé aux Professionnels. Seules les commandes effectuées sur cet article en tant que Professionnel pourront être honorées. données techniques Hauteur: 35 mm Largeur: 77 mm Longueur: 71 mm Profondeur d'encastrement: 73 mm Température mesurée max.: +1700 °C Température min. mesurée: 0 °C Tension

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FQPF6N80C mosfet 1 Canal n 51 w TO-220-3 A815391 - On Semiconductor

14.95 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFQPF6N80C notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 1310 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 5.5 A Puissance (max) P(TOT): 51 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 30 nC R(DS)(on) Courant de référence: 2.75 A R(DS)(on): 2.5 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 800 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 5 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FQPF6N80C Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1310 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 5.5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 51 W · Q(G) : 30 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 2.5 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 2.75 A · R(DS)(on) Tension de

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ASQ10617J Microrupteur ASQ10617J 30 v/dc 0.1 a 1 x On/(On) à rappel 1 pc(s) - Panasonic

7.49 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : fil, extrémités libres Courant de commutation (max.) : 0.1 A Durée de vie (mécanique) : 5 x 10 5 cycles de commutation Fonctions (interrupteur/bouton) : à rappel Matériau du contact : AgNi+Au Position de commutation : 1 x On/(On) Température (max.) : +85 °C Température (min.) : -40 °C Tension de commutation : 30 V/DC Type d'actionnement : levier métallique droit Type de contact (LOV) : 1 inverseur (RT) Microrupteur ultra-miniature série ASQ 30 V/DC Grâce à l'utilisation de contacts à glissières, la force des contacts ne dépend pas du chemin d'acheminement afin de garantir une stabilité constante sur l'ensemble de la zone d'actionnement. Il est également possible d'utiliser toute la course du poussoir. Il convient ici de mettre particulièrement en évidence la surcourse de 2,5 mm min. pour le contact à ouverture et de 2,2 mm pour le contact à fermeture. L'actionnement du modèle sans organe auxiliaire de commande peut également s'effectuer

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Yageo - Résistance à couche carbone CFR25J3R9H 3.9 ω sortie axiale 0207 0.25 w 1 pc(s) W948611

30 EUR

enquête Yageo CFR25J3R9H Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant YageoCFR25J3R9H données techniques Charge admissible: 0.25 W Coefficient de température: 350 ±ppm/°C Contenu: 1 pc(s) Diamètre: 2.4 mm Longueur: 6.3 mm Résistance: 3.9 Ω Tolérance +/-: 5 % informations supplémentaires Résistance à couche carbone 3.9 Ω 0.25 W 5 % 1 pc(s) Yageo CFR25J3R9H Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : Charge admissible (électrique) : 0.25 W · Coefficient de température : 350 ±ppm/°C · Conditionnement : 1 pc(s) · Dimensions produit, longueur : 6.3 mm · Forme de construction (résistance/condensateur) : 0207 · Tolérance (+/-) : 5 % · Type (type fabricant) : CFR-25JT-52-3R9 · Type de construction (résistance/ condensateur) : sortie axiale · Type de résistance (catégorisation) : Résistance à couche carbone · Valeur résistive : 3.9 Ω · Ø : 2.4 mm À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes

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Yageo - Résistance à couche carbone CFR25J4R7H 4.7 ω sortie axiale 0207 0.25 w 1 pc(s) W948481

30 EUR

enquête Yageo CFR25J4R7H Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant YageoCFR25J4R7H données techniques Charge admissible: 0.25 W Coefficient de température: 350 ±ppm/°C Contenu: 1 pc(s) Diamètre: 2.4 mm Longueur: 6.3 mm Résistance: 4.7 Ω Tolérance +/-: 5 % informations supplémentaires Résistance à couche carbone 4.7 Ω 0.25 W 5 % 1 pc(s) Yageo CFR25J4R7H Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : Charge admissible (électrique) : 0.25 W · Coefficient de température : 350 ±ppm/°C · Conditionnement : 1 pc(s) · Dimensions produit, longueur : 6.3 mm · Forme de construction (résistance/condensateur) : 0207 · Tolérance (+/-) : 5 % · Type (type fabricant) : CFR-25JT-52-4R7 · Type de construction (résistance/ condensateur) : sortie axiale · Type de résistance (catégorisation) : Résistance à couche carbone · Valeur résistive : 4.7 Ω · Ø : 2.4 mm À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes

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Résistance à couche métallique Te Connectivity SQMW7R47J 2-1623789-3 0.47 ω sortie radiale 7 w 5 % 300 ppm 1 pc(s) X480461

8.4 EUR

enquête TE Connectivity SQMW7R47J 2-1623789-3 Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant TE Connectivity2-1623789-3 données techniques Charge admissible: 7 W Coefficient de température: 300 ppm Contenu: 1 pc(s) Hauteur: 9 mm Largeur: 13 mm Longueur: 39 mm Résistance: 0.47 Ω Température max.: +250 °C Température min.: -55 °C Tolérance +/-: 5 % informations supplémentaires Résistance à couche métallique 0.47 Ω sortie radiale 7 W 5 % 300 ppm TE Connectivity SQMW7R47J 2-1623789-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : Charge admissible (électrique) : 7 W · Coefficient de température : 300 ppm · Conditionnement : 1 pc(s) · Dimensions produit, hauteur : 9 mm · Dimensions produit, largeur : 13 mm · Longueur : 39 mm · Température (max.) : +250 °C · Température (min.) : -55 °C · Tolérance (+/-) : 5 % · Type (type fabricant) : SQMW7R47J · Type de construction : sortie radiale · Type de résistance (catégorisation) : Résistance à couche métallique · Valeur résistive : 0.47 Ω À

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sold-Japan KOTOBUKIYA Series ARTFX J Hikari with Naetle scale PVC painted finished figure Pokémon 1/8

221.86 EUR

(C)Pokémon. (C)Nintendo/Creatures Inc./GAME FREAK inc.TM, (R), and character names are trademarks of Nintendo. A figure based on a new illustration by Hitoshi Ariga! Lineup of Hikari and Naetle in coats! The partner Pokemon, Naetle, is also notable for its uneven shell and three-dimensional expression of its mouth.

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Diotec - Diode de redressement S5J DO-214AB 600 v 5 a C764822

22 EUR

enquête Diotec S5J Type de boîtier (semi-conducteur): DO-214AB Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant DiotecS5J données techniques Courant coupé limité I(F): 5 A Courant de fuite I(r): 10 µA Température de fonctionnement (max.): 150 °C Tension de blocage U(R): 600 V Tension directe U(F): 1.10 V informations supplémentaires Diode de redressement Diotec S5J Type de boîtier (semi-conducteur): DO-214AB Contenu: 1 pc(s) Données techniques : Courant coupé limité I(F) : 5 A · Courant de fuite I(r) : 10 µA · I(FSM 50Hz) : 225 A · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Tension de blocage U(R) : 600 V · Tension directe U(F) : 1.10 V · Type de boîtier (semi-conducteur) : DO-214AB · Type de montage : montage en saillie À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes en toute fiabilité.Notre assortiment: électronique, technologie, outils et loisirs.

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Avocado House 078 KOTOBUKIYA Series ARTFX J Haruto with Hogeta Scale PVC Painted Complete Figure Pokémon 1/8

207.29 EUR

(C)Pokémon. (C)Nintendo/Creatures Inc./GAME FREAK inc. TM, (R), and character names are trademarks of Nintendo. The figure is based on a new illustration by Hitoshi Ariga, who is familiar with the series. Her expression is excited as she poses as if she is excited about the treasure hunt in the Paldea region.

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Avocado House 078 KOTOBUKIYA Series ARTFX J Hikari with Naetle scale PVC painted finished figure Pokémon 1/8

216.96 EUR

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Avocado House 078 ARTFX J series Kyouhei with Mijumaru scale PVC painted finished figure PV027 Pokémon 1/8

283.55 EUR

(C)Pokémon. (C)Nintendo/Creatures Inc./GAME FREAK inc. TM, (R), and character names are trademarks of Nintendo. A very popular series of figures based on original illustrations by Hitoshi Ariga. A dynamic pose of the moment he throws a monster ball, looking out from under his sun visor. Material: Poly

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KOTOBUKIYA Series ARTFX J Hikari with Naetle scale PVC painted finished figure Pokémon 1/8

173.54 EUR

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Honeywell - Capteur à effet Hall SR17C-J6 3.8 - 30 v/dc câble extrémités ouvertes

35.99 EUR

Informations techniques Boîtier: Forme de fourche Tension de sortie "ON": 0 - 0,4 V/DC ( sinking 20 mA) Courant de sortie "ON": 20 mA Courant de fuite: 10 µA Type de sortie: "Sink"" Informations techniques Branchement (capteur) : câble extrémités ouvertes Données techniques complémentaires : Boîtier: Forme de fourche Tension de sortie "ON": 0 - 0,4 V/DC ( sinking 20 mA) Courant de sortie "ON": 20 mA Courant de fuite: 10 µA Type de sortie: "Sink"" Température (max.) : +85 °C Température (min.) : -20 °C Tension de fonctionnement max. : 30 V/DC Tension de fonctionnement min. : 3.8 V/DC Capteur à effet Hall 3.8 - 30 V/DC Avec aimant dans un boîtier fourché. Le boîtier est scellé et particulièrement résistant contre la saleté et la poussière. Points forts Honeywell SR17C-J6 Contenu: 1 pc(s) Fonctionnalités Câble de raccordement AWG 24, longueur 30 cm. Contenu de la livraison null Configuration requise null

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Cuisine R-Line, 140 Cm J-Shape, Chêne Doré/Anthracite, Vicco

511.9 EUR

La cuisine est le c¿ur de la maison, un lieu où l'on se rassemble pour préparer et partager des repas. La série pour cuisine "R-Line" répond à ces besoins avec son bloc de cuisine, mini cuisine, cuisine intégrée et kitchenette, toutes disponibles en différentes configurations. Les modules peuvent également être convertis selon vos souhaits pour répondre à vos besoins spécifiques. Les pieds ajustables garantissent une hauteur parfaite pour votre confort, tandis que les modules supplémentaires vous offrent encore plus de fonctionnalités. Que vous soyez un cuisinier passionné ou simplement à la recherche d'une solution pratique pour votre espace de vie, la cuisine "R-Line" est la réponse complète pour votre cuisine. --- Données techniques: Couleurs: Chêne doré/anthracite, Anthracite Dimensions: 140 x 82 x 46 cm (LxHxP) Matériau: Panneau de particules, 16 mm Surface: Revêtement en mélamine Poids net sans emballage: 70.55 kg Poids brut avec emballage: 78.47 kg ---CONTENU DE LIVRAISON : Bloc cuisine sans plan de travail, matériel de montage, instructions de montage (sauf indication contraire, les appareils électroménagers et les décorations ne sont pas compris dans la livraison)

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FDP80N06 mosfet 1 Canal n 176 w TO-220-3 A826511 - On Semiconductor

7.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorFDP80N06 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 3190 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 80 A Puissance (max) P(TOT): 176 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 74 nC R(DS)(on) Courant de référence: 40 A R(DS)(on): 10 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor FDP80N06 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 3190 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 80 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 176 W · Q(G) : 74 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 10 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 40 A · R(DS)(on) Tension de

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ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 Canal N 350 mW SOT-23-3 A856081

80 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON Semiconductor2N7002 notes spéciales + image primaire données techniques C(ISS): 50 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 200 mA Puissance (max) P(TOT): 350 mW R(DS)(on) Courant de référence: 500 mA R(DS)(on): 5 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 2.5 V informations supplémentaires MOSFET ON Semiconductor 2N7002 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 50 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Conforme à la norme RoHS : oui · Fabricant : ON Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 200 mA · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 350 mW · R(DS)(on) : 5 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 500 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : OnS · Série

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BS170 mosfet 1 Canal n 350 mW TO-92 Q36037 - On Semiconductor

22 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorBS170 données techniques C(ISS): 60 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 500 mA Puissance (max) P(TOT): 350 mW R(DS)(on) Courant de référence: 200 mA R(DS)(on): 5 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 1 mA U(GS)(th) max.: 3 V informations supplémentaires MOSFET Fairchild Semiconductor BS170 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-92 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 60 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Fairchild Semiconductor · Fonction FET : Standard · I(d) : 500 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 350 mW · R(DS)(on) : 5 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 200 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : FSC · Température de fonctionnement (max.)

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HUF75645P3 mosfet 1 Canal n 310 w TO-220-3 - On Semiconductor

5.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS C(ISS) : 3790 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 75 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 310 W Q(G) : 238 nC Q(G) Tension de référence : 20 V R(DS)(on) : 14 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 75 A Série (semiconducteur) : UltraFET™ Température de fonctionnement (max.) : +175 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V Tension de référence C(ISS) : 25 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220-3 Type de montage : trou traversant U(DSS) : 100 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 4 V Contenu de la livraison null Configuration requise null

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Taïwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Diode tvs 1.5KE36CA DO-201 Tape on Full reel R050542

7 EUR

enquête Taiwan Semiconductor 1.5KE36CA Type de boîtier (semi-conducteur): DO-201 Contenu: 1 pc(s) fabricant et numéro du fabricant Taiwan Semiconductor1.5KE36CA données techniques Température de fonctionnement (max.): 175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C informations supplémentaires Diode TVS bip 1500 W 30,8V DO201 Taiwan Semiconductor 1.5KE36CA Type de boîtier (semi-conducteur): DO-201 Contenu: 1 pc(s) Données techniques : Série (semiconducteur) : 1.5KE_A · Température de fonctionnement (max.) : 175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Type d'emballage (composants) : Tape on Full reel · Type de boîtier (semi-conducteur) : DO-201 · Type de montage : montage à plat À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes en toute fiabilité.Notre assortiment: électronique, technologie, outils et loisirs.

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ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 Canal N 830 mW TO-92-3 A827871

5.5 EUR

fabricant et numéro du fabricant ON SemiconductorBS170-D27Z données techniques C(ISS): 40 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 500 mA Puissance (max) P(TOT): 830 mW R(DS)(on) Courant de référence: 200 mA R(DS)(on): 5 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 1 mA U(GS)(th) max.: 3 V informations supplémentaires Semi-conducteur MOSFET ON BS170-D27Z Données techniques : Abréviation du fabricant (composants) : OnS · C(ISS) : 40 pF · Caractéristique du transistor : Standard · Fabricant : ON Semiconductor · I(d) : 500 mA · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 830 mW · R(DS)(on) : 5 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 200 mA · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V · Tension de référence C(ISS) : 10 V · Tension de

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Panasonic AQY410EH Relais PhotoMOS 1 pc(s) 1 NF (R) 350 V/DC, 350 V/AC 130 mA Nombre de pôles: 4

6.49 EUR

Informations techniques Connexion (composants) : pour circuits imprimés Courant de commutation (max.) : 130 mA Nombre de pôles : 4 Puissance de dissipation : 550 mW R(on) (max.) : 25 Ω Température (max.) : +85 °C Température (min.) : -40 °C Tension de contact (max.) : 350 V/DC, 350 V/AC Type de boîtier (semi-conducteur) : DIP-4 Type de contact (LOV) : 1 NF (R) Relais PhotoMOS série AQY Relais PhotoMOS monocanal dans un boîtier DIP ultra compact. Application: télécommunications, techniques de mesure, de sécurité et médicale, modules d'entrée et de sortie, systèmes de télémaintenance. Informations supplémentaires Homologations: UL, CSA, BSI. Illustration similar.

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Taïwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor TSM048NB06LCR rlg mosfet Tape on Full reel V947443

10.47 EUR

fabricant et numéro du fabricant Taiwan SemiconductorTSM048NB06LCR RLG données techniques Contenu: 1 pc(s) Température de fonctionnement (max.): 175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C informations supplémentaires CANAL N 60V 107A 136W 0,0048R PDFN56 Données techniques : Série (semiconducteur) : TSM_CR(H) · Température de fonctionnement (max.) : 175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Type d'emballage (composants) : Tape on Full reel · Type de montage : montage sur circuit imprimé À propos de nous GetGoods opère avec succès dans toute l`Europe. Que vous soyez un particulier ou une entreprise, nous livrons vos commandes en toute fiabilité.Notre assortiment: électronique, technologie, outils et loisirs.

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GBPC3510 Pont redresseur gbpc 1000 v 35 a Monophasé - On Semiconductor

6.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 1000 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 1000 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3510 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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E-Block usb-c Batterie usb-c® Li-Ion 400 mAh 9 v 1 pc(s) - Ansmann

29.99 EUR

Informations techniques Capacité (mAh, Ah) : 400 mAh Comparatifs piles/accus : HR6F22, HR9V, HR22, 6LR61, 6LR21, 6AM6, 6LP3146, MN1604, A1604, E Block, LR22, 522, 6LF22, 1604A, K9V, 6R21, 6R22, BA3090/U, 6F22, PP3HP, 006P, AM6F, 6LF62, HP3, M1604, 4022, BLOC, CLR6, KA9, ND65V, U9VL-J-P, PP3 Dimensions produit, hauteur : 48.5 mm Dimensions produit, largeur : 25.5 mm Dimensions produit, profondeur : 16 mm Groupe de piles/d'accus : 6LR61 9 V Rechargeable : oui Taille des piles/accus : 6LR61 (9 V) Technologie piles/accus : Li-Ion Tension : 9 V

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ON Semiconductor GBPC2506 Pont redresseur GBPC 600 V 25 A Monophasé

6.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 25 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 600 V I(FSM 60Hz) : 300 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 12.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 600 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC2506 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s)

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GBPC3504W Pont redresseur gbpc-w 400 v 35 a Monophasé - On Semiconductor

8.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 400 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC-W Type de montage : trou traversant U(RRM) : 400 V Pont redresseur 400 V 35 A Monophasé Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3504W Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC-W Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC3508W Pont redresseur gbpc-w 800 v 35 a Monophasé - On Semiconductor

7.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 800 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC-W Type de montage : trou traversant U(RRM) : 800 V Pont redresseur 800 V 35 A Monophasé Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3508W Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC-W Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC1201W Pont redresseur gbpc-w 100 v 12 a Monophasé - On Semiconductor

5.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 12 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 100 V I(FSM 60Hz) : 300 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 6 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC-W Type de montage : trou traversant U(RRM) : 100 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC1201W Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC-W Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC3508 Pont redresseur gbpc 800 v 35 a Monophasé - On Semiconductor

6.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 800 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 800 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3508 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s)

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ON Semiconductor GBPC3504 Pont redresseur GBPC 400 V 35 A Monophasé

7.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 400 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 400 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3504 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC2504 Pont redresseur gbpc 400 v 25 a Monophasé - On Semiconductor

7.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 25 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 400 V I(FSM 60Hz) : 300 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 12.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 400 V Pont redresseur 400 V 25 A Monophasé Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC2504 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC2502 Pont redresseur gbpc 200 v 25 a Monophasé - On Semiconductor

5.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 25 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 200 V I(FSM 60Hz) : 300 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 12.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 200 V Pont redresseur 200 V 25 A Monophasé Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC2502 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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GBPC3501 Pont redresseur gbpc 100 v 35 a Monophasé - On Semiconductor

6.99 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : OnS Configuration (diode) : Monophasé Courant coupé limité I(F) : 35 A Courant de fuite I(r) : 5 µA Courant inverse I(r) - Référence : 100 V I(FSM 60Hz) : 400 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension directe : 17.5 A Tension directe U(F) : 1.1 V Type de boîtier (semi-conducteur) : GBPC Type de montage : boîtier U(RRM) : 100 V Redresseur de pont Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Points forts ON Semiconductor GBPC3501 Type de boîtier (semi-conducteur): GBPC Contenu: 1 pc(s) Contenu de la livraison null Configuration requise null

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Ultimate 6LR61 Pile 6LR61 (9V) lithium 9 v 1 pc(s) - Energizer

14.99 EUR

Informations techniques Gamme de températures : -40 à +60 °C Informations techniques Comparatifs piles/accus : 6LR61, 6LR21, 6AM6, 6LP3146, MN1604, A1604, E Block, LR22, 522, 6LF22, 1604A, K9V, 6R21, 6R22, BA3090/U, 6F22, PP3HP, 006P, AM6F, 6LF62, HP3, M1604, 4022, BLOC, CLR6, KA9, ND65V, U9VL-J-P, PP3 Dimensions produit, hauteur : 48.5 mm Dimensions produit, largeur : 25.5 mm Dimensions produit, profondeur : 16 mm Données techniques complémentaires : Gamme de températures : -40 à +60 °C Groupe de piles/d'accus : 6LR61 9 V Rechargeable : non Taille des piles/accus : 6LR61 (9 V) Technologie piles/accus : lithium Tension : 9 V Pile bloc 9 V Energizer Ultimate lithium Recommandée pour l'utilisation dans des détecteurs de fumée, des appareils audio professionnels, des capteurs d'alarme, des appareils médicaux, etc. Une puissance exceptionnelle même à des températures extrêmes de -40 à +60 °C. Peut se conserver pendant 10 ans. Points forts Plage de température de -40 à + 60 °C Idéal pour

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Industrial 6LR61 Pile 6LR61 (9V) alcaline(s) 9 v 12 pc(s) - Energizer

20.99 EUR

Informations techniques Plage de température -18 à +55 °C Informations techniques Comparatifs piles/accus : 6LR61, 6LR21, 6AM6, 6LP3146, MN1604, A1604, E Block, LR22, 522, 6LF22, 1604A, K9V, 6R21, 6R22, BA3090/U, 6F22, PP3HP, 006P, AM6F, 6LF62, HP3, M1604, 4022, BLOC, CLR6, KA9, ND65V, U9VL-J-P Dimensions produit, hauteur : 48.5 mm Dimensions produit, largeur : 25.5 mm Dimensions produit, profondeur : 16 mm Données techniques complémentaires : Plage de température -18 à +55 °C Taille des piles/accus : 6LR61 (9 V) Technologie piles/accus : alcaline(s) Tension : 9 V Piles alcalines industrielles 6LR61 (9V) Energizer Pile industrielle alcaline pour applications professionnelles. Idéal pour les consommateurs de masse dans l'industrie, les autorités publiques, la technologie médicale, la technologie événementielle et bien plus encore. Développé pour fournir du matériel professionnel avec une énergie fiable et durable. Points forts Jeu de 12 Plage de températures : de -18 à +55 °C Durée de

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Vishay - IRFB9N60APBF mosfet 1 Canal n 170 w TO-220 Q85385

8.97 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRFB9N60APBF données techniques C(ISS): 1400 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 9.2 A Puissance (max) P(TOT): 170 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 49 nC R(DS)(on) Courant de référence: 5.5 A R(DS)(on): 750 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 600 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRFB9N60APBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1400 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 9.2 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 170 W · Q(G) : 49 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 750 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 5.5 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle

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Infineon Technologies - IRFB7437PBF mosfet 1 Canal n 230 w TO-220 S81724

9.95 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRFB7437PBF données techniques C(ISS): 7330 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 195 A Puissance (max) P(TOT): 230 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 225 nC R(DS)(on) Courant de référence: 100 A R(DS)(on): 2 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 40 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 150 µA U(GS)(th) max.: 3.9 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRFB7437PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 7330 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 195 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 230 W · Q(G) : 225 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 2 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 100 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies - IRF9Z34N mosfet 1 Canal p 3.8 w TO-220 Q85339

7.5 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRF9Z34N données techniques C(ISS): 620 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 19 A Puissance (max) P(TOT): 3.8 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 35 nC R(DS)(on) Courant de référence: 10 A R(DS)(on): 100 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 55 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 620 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 19 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 3.8 W · Q(G) : 35 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 100 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 10 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies IRFI840GPBF MOSFET 1 Canal N 40 W TO-220 Q85899

9.95 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRFI840GPBF données techniques C(ISS): 1300 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 4.6 A Puissance (max) P(TOT): 40 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 67 nC R(DS)(on) Courant de référence: 2.8 A R(DS)(on): 850 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 500 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRFI840GPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1300 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 4.6 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 40 W · Q(G) : 67 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 850 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 2.8 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies - IRF1405PBF mosfet 1 Canal n 330 w TO-220 Q85243

7.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRF1405PBF données techniques C(ISS): 5480 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 169 A Puissance (max) P(TOT): 330 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 260 nC R(DS)(on) Courant de référence: 101 A R(DS)(on): 5.3 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 55 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRF1405PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 5480 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 169 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 330 W · Q(G) : 260 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 5.3 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 101 A ·

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Vishay - IRF9630PBF mosfet 1 Canal p 74 w TO-220 Q85319

9 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRF9630PBF données techniques C(ISS): 700 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 6.5 A Puissance (max) P(TOT): 74 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 29 nC R(DS)(on) Courant de référence: 3.9 A R(DS)(on): 800 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 200 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRF9630PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 700 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 6.5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 74 W · Q(G) : 29 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 800 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 3.9 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies - IRLD024PBF mosfet 1 Canal n 1.3 w hexdip Q85678

9.95 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRLD024PBF données techniques C(ISS): 870 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 2.5 A Puissance (max) P(TOT): 1.3 W Q(G) Tension de référence: 5 V Q(G): 18 nC R(DS)(on) Courant de référence: 1.5 A R(DS)(on): 100 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 5 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 2 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRLD024PBF Type de boîtier (semi-conducteur): HEXDIP Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 870 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 2.5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1.3 W · Q(G) : 18 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 100 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 1.5 A · R(DS)(on) Tension de référence : 5 V ·

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Infineon Technologies - IRL2505PBF mosfet 1 Canal n 200 w TO-220AB S81969

7.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRL2505PBF données techniques C(ISS): 5000 pF Contenu: 1 pc(s) Puissance (max) P(TOT): 200 W Q(G) Tension de référence: 5 V Q(G): 130 nC R(DS)(on) Courant de référence: 54 A R(DS)(on): 8 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 55 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 2 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRL2505PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 5000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 200 W · Q(G) : 130 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 8 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 54 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant

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Vishay - IRFP450PBF mosfet 1 Canal n 190 w TO-247AC

5.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : VIS C(ISS) : 2600 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 14 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 190 W Q(G) : 150 nC Q(G) Tension de référence : 10 V R(DS)(on) : 400 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 8.4 A Température de fonctionnement (max.) : +150 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 500 V Tension de référence C(ISS) : 25 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AC Type de montage : trou traversant U(DSS) : 500 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 4 V

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Vishay - IRF540PBF mosfet 1 Canal n 150 w TO-220AB S04992

7.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRF540PBF données techniques C(ISS): 1700 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 28 A Puissance (max) P(TOT): 150 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 72 nC R(DS)(on) Courant de référence: 17 A R(DS)(on): 77 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRF540PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1700 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 28 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 150 W · Q(G) : 72 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 77 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 17 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : VIS · Température de

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Infineon Technologies - IRFB4310ZPBF mosfet 1 Canal n 250 w TO-220AB Q87012

8.37 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRFB4310ZPBF données techniques C(ISS): 6860 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 120 A Puissance (max) P(TOT): 250 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 170 nC R(DS)(on) Courant de référence: 75 A R(DS)(on): 6 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 50 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 150 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRFB4310ZPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 6860 pF · C(ISS) Tension de référence : 50 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 120 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 250 W · Q(G) : 170 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 6 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 75 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies - IRLML6402TRPBF mosfet 1 Canal p 1.3 w SOT-23 Q85622

9 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRLML6402TRPBF données techniques C(ISS): 633 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 3.7 A Puissance (max) P(TOT): 1.3 W Q(G) Tension de référence: 5 V Q(G): 12 nC R(DS)(on) Courant de référence: 3.7 A R(DS)(on): 65 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 4.5 V U(DSS): 20 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 1.2 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRLML6402TRPBF Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 633 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 3.7 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1.3 W · Q(G) : 12 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 65 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 3.7 A ·

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Vishay - IRF9520PBF mosfet 1 Canal p 60 w TO-220AB S04915

8.2 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRF9520PBF données techniques C(ISS): 390 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 6.8 A Puissance (max) P(TOT): 60 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 18 nC R(DS)(on) Courant de référence: 4.1 A R(DS)(on): 600 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRF9520PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 390 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 6.8 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 60 W · Q(G) : 18 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 600 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 4.1 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : VIS · Température de

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Nexperia 2N7002BK,215 MOSFET 1 Canal N 370 mW SOT-23 Q959891

30 EUR

fabricant et numéro du fabricant Nexperia2N7002BK,215 données techniques C(ISS): 50 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 88 A Puissance (max) P(TOT): 370 mW Q(G) Tension de référence: 4.5 V Q(G): 0.6 nC R(DS)(on) Courant de référence: 500 mA R(DS)(on): 1.6 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Tension de référence C(ISS): 10 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 2.1 V informations supplémentaires MOSFET NXP Semiconductors 2N7002BK,215 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 50 pF · C(ISS) Tension de référence : 10 V · Fabricant : NXP Semiconductors · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 88 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 370 mW · Q(G) : 0.6 C · Q(G) Tension de référence : 4.5 V · R(DS)(on) : 1.6 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 500 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : NXP · Série

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Nexperia BSS123,215 MOSFET 1 Canal N 250 mW SOT-23 Q959691

100 EUR

fabricant et numéro du fabricant NexperiaBSS123,215 données techniques C(ISS): 40 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 170 A Puissance (max) P(TOT): 250 mW R(DS)(on) Courant de référence: 120 mA R(DS)(on): 6 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 1 mA U(GS)(th) max.: 2.8 V informations supplémentaires MOSFET NXP Semiconductors BSS123,215 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 40 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : NXP Semiconductors · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 170 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 250 mW · R(DS)(on) : 6 Ω · R(DS)(on) Courant de référence : 120 mA · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : NXP · Série (semiconducteur) : TrenchMOS™ · Température de fonctionnement

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Infineon Technologies - IRFP9140NPBF mosfet 1 Canal p 140 w TO-247 Q85885

6.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesIRFP9140NPBF données techniques C(ISS): 1300 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 23 A Puissance (max) P(TOT): 140 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 97 nC R(DS)(on) Courant de référence: 13 A R(DS)(on): 117 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies IRFP9140NPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1300 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 23 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 140 W · Q(G) : 97 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 117 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 13 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du

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Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 Canal P 360 mW TO-236-3 Q32787

110 EUR

description Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P. fabricant et numéro du fabricant Infineon TechnologiesBSS84P données techniques C(ISS): 19 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 170 mA Puissance (max) P(TOT): 360 mW Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 1.5 nC R(DS)(on) Courant de référence: 170 mA R(DS)(on): 8 Ω Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 60 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 20 µA U(GS)(th) max.: 2 V informations supplémentaires MOSFET Infineon Technologies BSS84P Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Transistor à petits signaux. Enrichissement du canal P. Données techniques : C(ISS) : 19 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 170 mA · Nombre de sorties : 1 · Puissance

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Vishay - IRFP460PBF mosfet 1 Canal n 280 w TO-247 Q85830

10.47 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRFP460PBF données techniques C(ISS): 4200 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 20 A Puissance (max) P(TOT): 280 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 210 nC R(DS)(on) Courant de référence: 12 A R(DS)(on): 270 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 500 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRFP460PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 4200 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 20 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 280 W · Q(G) : 210 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 270 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 12 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : IR · Température de

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Vishay - IRFP450APBF mosfet 1 Canal n 190 w TO-247 Q85834

11.37 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRFP450APBF données techniques C(ISS): 2038 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 14 A Puissance (max) P(TOT): 190 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 64 nC R(DS)(on) Courant de référence: 8.4 A R(DS)(on): 400 mΩ Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 500 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRFP450APBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-247 Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 2038 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 14 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 190 W · Q(G) : 64 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 400 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 8.4 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : VIS · Température de

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Vishay - IRF9540PBF mosfet 1 Canal p 150 w TO-220AB S04918

7.45 EUR

fabricant et numéro du fabricant VishayIRF9540PBF données techniques C(ISS): 1400 pF Contenu: 1 pc(s) I(d): 19 A Puissance (max) P(TOT): 150 W Q(G) Tension de référence: 10 V Q(G): 61 nC R(DS)(on) Courant de référence: 11 A R(DS)(on): 200 mΩ Température de fonctionnement (max.): +175 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension de référence C(ISS): 25 V Tension de référence R(DS)(on): 10 V U(DSS): 100 V U(GS)(th) Courant de référence max.: 250 µA U(GS)(th) max.: 4 V informations supplémentaires MOSFET Vishay IRF9540PBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB Conditionnement: 1 pc(s) Données techniques : C(ISS) : 1400 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Vishay · Fonction FET : Standard · I(d) : 19 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 150 W · Q(G) : 61 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 200 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 11 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : VIS · Température de

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Infineon Technologies - IRFP4568PBF mosfet 1 Canal n 517 w TO-247AC

5.49 EUR

Informations techniques Abréviation du fabricant (composants) : INF C(ISS) : 10470 pF Caractéristique du transistor : Standard I(d) : 171 A Nombre de canaux : 1 Puissance (max) P(TOT) : 517 W Q(G) : 227 nC Q(G) Tension de référence : 10 V R(DS)(on) : 5.9 mΩ R(DS)(on) Courant de référence : 103 A Série (semiconducteur) : HEXFET® Température de fonctionnement (max.) : +175 °C Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C Tension de rupture U(BR) (DSS) : 150 V Tension de référence C(ISS) : 50 V Tension de référence R(DS)(on) : 10 V Type (transistors) : Canal N Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-247AC Type de montage : trou traversant U(DSS) : 150 V U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA U(GS)(th) max. : 5 V

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